文章目录

0 引言

1 MRAM器件结构概述

1.1 MRAM的基本结构

1.2 MRAM的基本类型

    1.2.1 STT-MRAM

    1.2.2 SOT-MRAM

    1.2.3 VCMA-MRAM

2 MRAM存算一体应用研究现状

2.1 算术逻辑计算

2.2 神经网络计算

2.3 问题与挑战

3 结论

文章摘要:磁性随机存储器是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件,其主要结构单元是一个由磁性层和隧穿层组成的磁性隧道结,通过铁磁材料相对的磁化方向表现出高低两种阻值状态,以此实现信息的非易失存储。它具有极快的开关速度、近乎为零的泄露功耗、极高的可靠性等显著优点,是实现存算一体化技术的理想器件之一。本综述论述了磁性随机存储器在存算一体领域的研究进展,包括器件的基本结构和相应控制方法,着重对其在算术逻辑和神经网络的计算研究现状做了阐述。最后,对磁性随机存储器在存算一体中的应用做了相应总结和展望。

文章关键词:

论文分类号:TP333

文章来源：《磁性材料及器件》 网址: http://www.cxcljqj.cn/qikandaodu/2022/0101/480.html